RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Compara
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Puntuación global
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
39
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
9.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
39
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2646
1881
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link