RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.3
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2646
2014
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link