RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.4
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3673
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link