RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
15.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3652
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link