RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3845
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link