RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3255
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link