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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
43
En -79% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
24
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2925
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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