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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Diferencias
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Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
43
En -43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3040
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
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