RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3650
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link