RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.8
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
19.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
3650
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link