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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

Puntuación global
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Puntuación global
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 8.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.3
    Valor medio en las pruebas
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    33 left arrow 43
    En -30% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 12800
    En 1.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    43 left arrow 33
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.9 left arrow 8.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.6 left arrow 8.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2506 left arrow 1946

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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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