RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Compara
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Puntuación global
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Puntuación global
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
14.9
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2506
2386
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link