RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
59
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2358
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link