RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
59
En -136% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
3413
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link