RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Inmos + 256MB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Inmos + 256MB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Inmos + 256MB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
59
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
2,123.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
16800
6400
En 2.63 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
11.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
16800
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2318
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Inmos + 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link