RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
59
En -84% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
59
32
Velocidad de lectura, GB/s
4,833.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,123.3
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
731
2868
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link