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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
69
En -156% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
27
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3198
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
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