RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
69
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
39
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2600
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link