RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
69
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
33
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
3141
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link