Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Puntuación global
star star star star star
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    4 left arrow 19.5
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    20 left arrow 58
    En -190% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    15.8 left arrow 1,950.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 6400
    En 2.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    58 left arrow 20
  • Velocidad de lectura, GB/s
    4,241.0 left arrow 19.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,950.7 left arrow 15.8
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    651 left arrow 3483
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones