RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3538
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link