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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2897
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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