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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3707
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
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