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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3660
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
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