RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
46
En -109% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
22
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2666
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link