RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
18.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
46
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
38
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3334
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link