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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
46
En -59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.1
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
29
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3167
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F3-2133C10-4GAB 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
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