RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
46
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
3200
En 6.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
28
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
21300
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3567
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link