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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
46
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
31
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
no data
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
, 1.20000005, CAS Supported:
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
no data
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
3043
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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