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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
46
En -7% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
3200
En 5.31 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
43
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
17000
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2532
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
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