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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
60
En -161% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3125
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
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