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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
60
En -107% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
29
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3901
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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