RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
11.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
60
En -67% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
2417
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link