RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
65
En -81% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2899
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link