RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3636
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link