RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
65
En -171% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
24
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2462
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link