Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB

Puntuación global
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 18
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    2,021.5 left arrow 14.3
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 47
    En -57% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 6400
    En 2.66 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    47 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,575.4 left arrow 18.0
  • Velocidad de escritura, GB/s
    2,021.5 left arrow 14.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    563 left arrow 3466
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones