RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3044
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link