RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
43
77
En -79% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
5300
En 4.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
43
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
23400
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3304
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link