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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
77
En -208% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
4039
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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