RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
77
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
17.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
4100
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link