RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
25.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
77
En -196% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
21.4
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
25.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
21.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
4252
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link