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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
77
83
En 7% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
83
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
7.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1752
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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