RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
77
En -221% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3092
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link