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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2945
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X74R9W-MIE 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
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