RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
77
En -133% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.6
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
9.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2286
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link