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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
77
En -250% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2633
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
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