RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
21.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
77
En -305% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
22.2
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
19
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
21.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
22.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
4574
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link