RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
77
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.8
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
57
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
9.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2328
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link