Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Puntuación global
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Puntuación global
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Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 36
    En -16% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 15
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.6 left arrow 10.3
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
    En 1.51 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    15.0 left arrow 16.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    10.3 left arrow 14.6
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 25600
Other
  • Descripción
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2569 left arrow 3509
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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