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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
36
En -20% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3505
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
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